TK5Q65W,S1Q

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Especificaciones

Número de pieza

TK5Q65W,S1Q
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TK5Q65W,S1Q.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 170µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

DTMOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs

1.22 Ohm @ 2.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

60W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Otros nombres

TK5Q65W,S1Q(S
TK5Q65WS1Q
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 5.2A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A (Ta)

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TK5A65W,S5X

Descripción: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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