TK7S10N1Z,LQ

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Especificaciones

Número de pieza

TK7S10N1Z,LQ
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TK7S10N1Z,LQ.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK+
Serie

U-MOSVIII-H
RDS (Max) @Id, Vgs

48 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

50W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

TK7S10N1Z,LQ(O
TK7S10N1ZLQTR
Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.1nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 7A (Ta) 50W (Tc) Surface Mount DPAK+
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta)

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TK7A60W,S4VX

Descripción: MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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