TK7Q60W,S1VQ

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Especificaciones

Número de pieza

TK7Q60W,S1VQ
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TK7Q60W,S1VQ.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.7V @ 350µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

DTMOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs

600 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

60W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Otros nombres

TK7Q60W,S1VQ(S
TK7Q60WS1VQ
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 7A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta)

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TK7P50D(T6RSS-Q)

Descripción: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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