TPC8031-H(TE12LQM)

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Especificaciones

Número de pieza

TPC8031-H(TE12LQM)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TPC8031-H(TE12LQM).pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOP (5.5x6.0)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

13.3 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2150pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

21nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 11A (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta)

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TPC8021-H(TE12LQ,M

Descripción: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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