TPC8109(TE12L)

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Especificaciones

Número de pieza

TPC8109(TE12L)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

1.TPC8109(TE12L).pdf
2.TPC8109(TE12L).pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOP (5.5x6.0)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

20 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Otros nombres

TPC8109CT
TPC8109TE12L
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2260pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

45nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "TPC8109(TE12L)".

TPC8133,LQ(S

Descripción: MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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