TPC8129,LQ(S

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Especificaciones

Número de pieza

TPC8129,LQ(S
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.TPC8129,LQ(S.pdf
2.TPC8129,LQ(S.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 200µA
Vgs (Max)

+20V, -25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOP
Serie

U-MOSVI
RDS (Max) @Id, Vgs

22 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

TPC8129LQ(S
TPC8129LQS
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1650pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

39nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

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Envío
Forma de pago

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Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

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