TPCC8066-H,LQ(S

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Especificaciones

Número de pieza

TPCC8066-H,LQ(S
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON-ADV
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.TPCC8066-H,LQ(S.pdf
2.TPCC8066-H,LQ(S.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.3V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-TSON Advance (3.3x3.3)
Serie

U-MOSVII-H
RDS (Max) @Id, Vgs

15 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

700mW (Ta), 17W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

TPCC8066-HLQ(S
TPCC8066HLQS
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 11A (Ta) 700mW (Ta), 17W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta)

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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