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BA159GPEHE3/53

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Especificaciones

Número de pieza

BA159GPEHE3/53
Fabricante / Marca

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BA159GPEHE3/53.pdf
Modelo ECAD
Tensión - inversa de pico (máxima)

Standard
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1A
Tensión - Desglose

DO-204AL (DO-41)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Estado RoHS

Tape & Box (TB)
Tiempo de recuperación inversa (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F

15pF @ 4V, 1MHz
Polarización

DO-204AL, DO-41, Axial
Temperatura de funcionamiento - Junction

500ns
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante

BA159GPEHE3/53
Descripción ampliada

Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
configuración de diodo

5µA @ 800V
Descripción

DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Corriente - Fuga inversa a Vr

1.3V @ 1A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

800V
Capacitancia Vr, F

-65°C ~ 175°C

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BA159G R1G

Descripción: DIODE GEN PURP 1A DO204AL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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