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5097153Imagen BAY80-TAPVishay Semiconductor Diodes Division

BAY80-TAP

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BAY80-TAP
  • Fabricante / Marca
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BAY80-TAP.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    250mA (DC)
  • Tensión - Desglose
    DO-35
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Estado RoHS
    Tape & Box (TB)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    5pF @ 0V, 1MHz
  • Polarización
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    50ns
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    BAY80-TAP
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 120V 250mA (DC) Through Hole DO-35
  • configuración de diodo
    100nA @ 120V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.07V @ 150mA
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    120V
  • Capacitancia Vr, F
    175°C (Max)

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Descripción: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

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