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Imagen VS-40EPF12-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40EPF12-M3

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Especificaciones

Número de pieza

VS-40EPF12-M3
Fabricante / Marca

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

VS-40EPF12-M3.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)

Standard
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

40A
Tensión - Desglose

TO-247AC Modified
Serie

-
Estado RoHS

Tube
Tiempo de recuperación inversa (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F

-
Polarización

TO-247-2
Otros nombres

VS-40EPF12-M3GI
Temperatura de funcionamiento - Junction

450ns
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Número de pieza del fabricante

VS-40EPF12-M3
Descripción ampliada

Diode Standard 1200V (1.2kV) 40A Through Hole TO-247AC Modified
configuración de diodo

100µA @ 1200V
Descripción

DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC
Corriente - Fuga inversa a Vr

1.4V @ 40A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

1200V (1.2kV)
Capacitancia Vr, F

-40°C ~ 150°C

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