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VS-8EWS10SPBF

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Especificaciones

Número de pieza

VS-8EWS10SPBF
Fabricante / Marca

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

VS-8EWS10SPBF.pdf
Modelo ECAD
Tensión - inversa de pico (máxima)

Standard
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

8A
Tensión - Desglose

D-Pak
Serie

-
Estado RoHS

Tube
Tiempo de recuperación inversa (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F

-
Polarización

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

8EWS10SPBF
8EWS10SPBF-ND
Q3788738
VS-8EWS10SPBF-ND
VS-8EWS10SPBFGI
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante

VS-8EWS10SPBF
Descripción ampliada

Diode Standard 1000V (1kV) 8A Surface Mount D-Pak
configuración de diodo

50µA @ 1000V
Descripción

DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
Corriente - Fuga inversa a Vr

1.1V @ 8A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

1000V (1kV)
Capacitancia Vr, F

-55°C ~ 150°C

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Los siguientes son productos relacionados con "VS-8EWS10SPBF".

VS-8EWS10STRLPBF

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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