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VS-SD600N32PC

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Especificaciones

Número de pieza

VS-SD600N32PC
Fabricante / Marca

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 3.2KV 600A B8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

VS-SD600N32PC.pdf
Modelo ECAD
Tensión - inversa de pico (máxima)

Standard
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

600A
Tensión - Desglose

B-8
Serie

-
Estado RoHS

Bulk
Tiempo de recuperación inversa (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F

-
Polarización

B-8
Otros nombres

*SD600N32PC
SD600N32PC
VS-SD600N32PC-ND
VSSD600N32PC
VSSD600N32PC-ND
Tipo de montaje

Chassis, Stud Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Número de pieza del fabricante

VS-SD600N32PC
Descripción ampliada

Diode Standard 3200V (3.2kV) 600A Chassis, Stud Mount B-8
configuración de diodo

35mA @ 3200V
Descripción

DIODE GEN PURP 3.2KV 600A B8
Corriente - Fuga inversa a Vr

1.44V @ 1500A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

3200V (3.2kV)
Capacitancia Vr, F

-40°C ~ 150°C

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VS-SD600N28PC

Descripción: DIODE GEN PURP 2.8KV 600A B8

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division

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VS-SD600N32PC

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