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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > W9412G6KH-4
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6466214Imagen W9412G6KH-4Winbond Electronics Corporation

W9412G6KH-4

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Especificaciones
  • Número de pieza
    W9412G6KH-4
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    12ns
  • Suministro de voltaje
    2.4 V ~ 2.7 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR
  • Paquete del dispositivo
    66-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    128Mb (8M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 250MHz 48ns 66-TSOP II
  • Frecuencia de reloj
    250MHz
  • Tiempo de acceso
    48ns
W94-X112-30V

W94-X112-30V

Descripción: CIR BRKR MAG-HYDR 30A 415VAC

Fabricantes: Agastat Relays / TE Connectivity
Existencias disponibles
W9412G6KH-5 TR

W9412G6KH-5 TR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9425G6KH-5 TR

W9425G6KH-5 TR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9425G6JB-5 TR

W9425G6JB-5 TR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9412G6JH-4

W9412G6JH-4

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9425G6KH-4

W9425G6KH-4

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9412G6KH-5

W9412G6KH-5

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9425G6JB-5

W9425G6JB-5

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9425G6JB-5I TR

W9425G6JB-5I TR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9412G6IH-5

W9412G6IH-5

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9425G6JB-5I

W9425G6JB-5I

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W94-X112-20

W94-X112-20

Descripción: CIR BRKR

Fabricantes: Agastat Relays / TE Connectivity
Existencias disponibles
W9425G6KH-5

W9425G6KH-5

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9425G6KH-5I

W9425G6KH-5I

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9425G6EH-5

W9425G6EH-5

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9412G6JH-5I

W9412G6JH-5I

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9412G6KH-5I

W9412G6KH-5I

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9412G6KH-4 TR

W9412G6KH-4 TR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9412G6KH-5I TR

W9412G6KH-5I TR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W94-X113-30

W94-X113-30

Descripción: CIR BRKR MAG-HYDR 30A 277VAC

Fabricantes: Agastat Relays / TE Connectivity
Existencias disponibles

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