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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > W9425G6JB-5I TR
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6248900Imagen W9425G6JB-5I TRWinbond Electronics Corporation

W9425G6JB-5I TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    W9425G6JB-5I TR
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR
  • Paquete del dispositivo
    60-TFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    60-TFBGA
  • Otros nombres
    W9425G6JB-5I TR-ND
    W9425G6JB-5ITR
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    256Mb (16M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 55ns 60-TFBGA (8x13)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Tiempo de acceso
    55ns
W9425G6JB-5 TR

W9425G6JB-5 TR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9464G6JH-5

W9464G6JH-5

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9412G6KH-5 TR

W9412G6KH-5 TR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9464G6KH-4 TR

W9464G6KH-4 TR

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9412G6KH-4 TR

W9412G6KH-4 TR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9464G6JH-4

W9464G6JH-4

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9412G6KH-5

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9412G6KH-5I

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9425G6KH-5

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9425G6KH-5I

W9425G6KH-5I

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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W9412G6KH-4

W9412G6KH-4

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9464G6JH-5I

W9464G6JH-5I

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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W9425G6JB-5

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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W9464G6KH-4

W9464G6KH-4

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9425G6KH-5 TR

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9425G6EH-5

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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W9425G6KH-5I TR

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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W9425G6JB-5I

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

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W9425G6KH-4

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