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4790268Imagen W9412G6KH-5IWinbond Electronics Corporation

W9412G6KH-5I

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108+
$2.161
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Especificaciones
  • Número de pieza
    W9412G6KH-5I
  • Fabricante / Marca
    Winbond Electronics Corporation
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    W9412G6KH-5I.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR
  • Paquete del dispositivo
    66-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    128Mb (8M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 50ns 66-TSOP II
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Tiempo de acceso
    50ns

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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W9425G6JB-5I TR

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

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Fabricantes: Agastat Relays / TE Connectivity
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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

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Descripción: CIR BRKR MAG-HYDR 30A 277VAC

Fabricantes: Agastat Relays / TE Connectivity
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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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