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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > W9464G6KH-5

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Imagen W9464G6KH-5

Winbond Electronics Corporation

W9464G6KH-5

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Especificaciones

Número de pieza

W9464G6KH-5
Fabricante / Marca

Winbond Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

W9464G6KH-5.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

15ns
Suministro de voltaje

2.3 V ~ 2.7 V
Tecnología

SDRAM - DDR
Paquete del dispositivo

66-TSOP II
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

64Mb (4M x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - DDR Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 200MHz 55ns 66-TSOP II
Frecuencia de reloj

200MHz
Tiempo de acceso

55ns

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