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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > W978H6KBVX2E

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Imagen W978H6KBVX2E

Winbond Electronics Corporation

W978H6KBVX2E

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Especificaciones

Número de pieza

W978H6KBVX2E
Fabricante / Marca

Winbond Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

W978H6KBVX2E.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

15ns
Suministro de voltaje

1.14 V ~ 1.95 V
Tecnología

SDRAM - Mobile LPDDR2
Paquete del dispositivo

134-VFBGA (10x11.5)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

134-VFBGA
Temperatura de funcionamiento

-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

256Mb (16M x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
Frecuencia de reloj

400MHz

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