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254219Imagen W979H6KBVX2E TRWinbond Electronics Corporation

W979H6KBVX2E TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    W979H6KBVX2E TR
  • Fabricante / Marca
    Winbond Electronics Corporation
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    W979H6KBVX2E TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Paquete del dispositivo
    134-VFBGA (10x11.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    134-VFBGA
  • Otros nombres
    W979H6KBVX2E TR-ND
    W979H6KBVX2ETR
  • Temperatura de funcionamiento
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (32M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • Frecuencia de reloj
    400MHz

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