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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > W978H6KBVX2I
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5217526Imagen W978H6KBVX2IWinbond Electronics Corporation

W978H6KBVX2I

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Especificaciones
  • Número de pieza
    W978H6KBVX2I
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Paquete del dispositivo
    134-VFBGA (10x11.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    134-VFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    256Mb (16M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • Frecuencia de reloj
    400MHz
W978H6KBQX2I

W978H6KBQX2I

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W979H6KBVX2E TR

W979H6KBVX2E TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W978H6KBVX2E

W978H6KBVX2E

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W979H2KBQX2E

W979H2KBQX2E

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W979H2KBQX2I

W979H2KBQX2I

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W979H6KBVX2I TR

W979H6KBVX2I TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W979H6KBVX2I

W979H6KBVX2I

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W978H2KBVX2E

W978H2KBVX2E

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W979H6KBQX2I

W979H6KBQX2I

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W979H2KBVX2E

W979H2KBVX2E

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W978H2KBQX2I

W978H2KBQX2I

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9751G8KB-25 TR

W9751G8KB-25 TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W979H6KBQX2E

W979H6KBQX2E

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W979H2KBVX2I

W979H2KBVX2I

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W978H2KBQX2E

W978H2KBQX2E

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W978H2KBVX2I

W978H2KBVX2I

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W978H6KBQX2E

W978H6KBQX2E

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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W9751G8KB25I TR

W9751G8KB25I TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W979H6KBVX2E

W979H6KBVX2E

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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W9751G8KB25I

W9751G8KB25I

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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