FDMS3016DC

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Especificaciones

Número de pieza

FDMS3016DC
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMS3016DC.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Dual Cool™56
Serie

Dual Cool™, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

6 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.3W (Ta), 60W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

FDMS3016DC-ND
FDMS3016DCTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1385pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

23nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 18A (Ta), 49A (Tc) 3.3W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount Dual Cool™56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Ta), 49A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDMS3600S

Descripción: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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