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7060428Imagen FDMS3602ASAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMS3602AS

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FDMS3602AS
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    FDMS3602AS.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    Power56
  • Serie
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    5.6 mOhm @ 15A, 10V
  • Potencia - Max
    2.2W, 2.5W
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN
  • Otros nombres
    FDMS3602ASCT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    39 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1770pF @ 13V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    25V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 15A, 26A 2.2W, 2.5W Surface Mount Power56
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    15A, 26A

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