FDMS3600S

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3000+

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Especificaciones

Número de pieza

FDMS3600S
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMS3600S.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.7V @ 250µA
Paquete del dispositivo

Power56
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

5.6 mOhm @ 15A, 10V
Potencia - Max

1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

FDMS3600S-ND
FDMS3600SFSTR
Q6509374
Q6509374A
Q6881411
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

27nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 15A, 30A 1W Surface Mount Power56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

15A, 30A
Número de pieza base

FDMS3600S

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "FDMS3600S".

FDMS3008SDC

Descripción: MOSFET N-CH 30V 29A 8-PQFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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