FDMS3606AS

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Especificaciones

Número de pieza

FDMS3606AS
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMS3606AS.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.7V @ 250µA
Paquete del dispositivo

Power56
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

8 mOhm @ 13A, 10V
Potencia - Max

1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

FDMS3606AS-ND
FDMS3606ASTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1695pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

29nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 27A 1W Surface Mount Power56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

13A, 27A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "FDMS3606AS".

FDMS3600S

Descripción: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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