FDMS3626S

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Especificaciones

Número de pieza

FDMS3626S
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMS3626S.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

Power56
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

5 mOhm @ 17.5A, 10V
Potencia - Max

1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

FDMS3626S-ND
FDMS3626STR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1570pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

26nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 25A 1W Surface Mount Power56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

17.5A, 25A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDMS3669S

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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