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2315612

Imagen FDMS3615S

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMS3615S

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Especificaciones

Número de pieza

FDMS3615S
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMS3615S.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

Power56
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

5.8 mOhm @ 16A, 10V
Potencia - Max

1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

FDMS3615S-ND
FDMS3615STR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1765pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

27nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 16A, 18A 1W Surface Mount Power56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

16A, 18A

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