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3425076Imagen FGH40T65SQD-F155AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGH40T65SQD-F155

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FGH40T65SQD-F155
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    650V 40A FS4 TRENCH IGBT
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    FGH40T65SQD-F155.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 40A
  • Condición de prueba
    400V, 10A, 6 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    16.4ns/86.4ns
  • Cambio de Energía
    138µJ (on), 52µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247-3
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    31.8ns
  • Potencia - Max
    238W
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Estado sin plomo
    Lead free
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • puerta de carga
    80nC
  • Descripción detallada
    IGBT Trench Field Stop 650V 80A 238W Through Hole TO-247-3
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    160A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    80A

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
FGH40T65SPD-F155

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Descripción: IGBT 650V 80A 267W TO-247

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
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Descripción: 650V FS4 TRENCH IGBT

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: 650V FS4 TRENCH IGBT

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IGBT 1200V 80A 555W TO247-3

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Descripción: IGBT 1000V 80A 333W TO247-3

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Descripción: FS4TIGBT TO247 40A 650V

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IGBT 650V 80A 268W TO-247

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Descripción: IGBT 600V 120A 378W TO247

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