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3820174Imagen FGH40T65SPD-F155AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGH40T65SPD-F155

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FGH40T65SPD-F155
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 650V 80A 267W TO-247
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    FGH40T65SPD-F155.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • Condición de prueba
    400V, 40A, 6 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    16ns/37ns
  • Cambio de Energía
    1.16mJ (on), 280µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    34ns
  • Potencia - Max
    267W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Otros nombres
    FGH40T65SPD_F155
    FGH40T65SPD_F155-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • puerta de carga
    35nC
  • Descripción detallada
    IGBT Trench Field Stop 650V 80A 267W Through Hole TO-247
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    120A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
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