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4105390Imagen FGH40T65SPD-F085AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGH40T65SPD-F085

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$3.434
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Especificaciones
  • Número de pieza
    FGH40T65SPD-F085
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    AUTOMOTIVE 650V FS GEN3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    FGH40T65SPD-F085.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • Condición de prueba
    400V, 40A, 6 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    18ns/35ns
  • Cambio de Energía
    1.16MJ (on), 270µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Potencia - Max
    267W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Otros nombres
    FGH40T65SPD_F085
    FGH40T65SPD_F085-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    NPT
  • puerta de carga
    36nC
  • Descripción detallada
    IGBT NPT 650V 80A 267W Through Hole TO-247
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    120A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    80A

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Descripción: 650V FS4 TRENCH IGBT

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: 650V FS4 TRENCH IGBT

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
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Descripción: 650V 40A FS4 TRENCH IGBT

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IGBT 600V 75A 463W TO247

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Descripción: IGBT 650V 80A 268W TO-247AB

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Descripción: IGBT 1000V 80A 333W TO247-3

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Descripción: IGBT 650V 80A 268W TO-247-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IGBT 1200V 80A 555W TO247-3

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Descripción: IGBT 1000V 80A 333W TO247-3

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