IRFM120ATF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFM120ATF
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.IRFM120ATF.pdf
2.IRFM120ATF.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-223-4
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

200 mOhm @ 1.15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.4W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

IRFM120ATFTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 2.3A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A (Ta)

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