IRFNL210BTA-FP001

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Especificaciones

Número de pieza

IRFNL210BTA-FP001
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 1A TO-92L
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFNL210BTA-FP001.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-92L
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.5 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.1W (Ta)
embalaje

Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Otros nombres

IRFNL210BTA_FP001
IRFNL210BTA_FP001-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 1A (Tc) 3.1W (Ta) Through Hole TO-92L
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Tc)

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