NTGD1100LT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTGD1100LT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTGD1100LT1G.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - fuente (Vcc / Vdd)

-
Tensión - Carga

1.8 V ~ 8 V
Tipo de interruptor

General Purpose
Paquete del dispositivo

6-TSOP
Serie

-
Rds On (Tipo)

40 mOhm
Relación - Entrada: Salida

1:1
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tipo de salida

P-Channel
Configuración de salida

High Side
Otros nombres

NTGD1100LT1GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Número de salidas

1
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Interfaz

On/Off
Tipo de entrada

-
Caracteristicas

-
Protección contra fallos

-
Corriente - Salida (Max)

3.3A
Número de pieza base

NTGD1100L

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Forma de pago

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NTGD3147FT1G

Descripción: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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