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NTGD4169FT1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NTGD4169FT1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NTGD4169FT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    6-TSOP
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    900mW (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-23-6
  • Temperatura de funcionamiento
    -25°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    295pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    5.5nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 2.6A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    2.6A (Ta)

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