NTGS3130NT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTGS3130NT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTGS3130NT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-TSOP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

24 mOhm @ 5.6A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

600mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6
Otros nombres

NTGS3130NT1GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

30 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

935pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20.3nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 4.2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.2A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NTGS3441BT1G

Descripción: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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