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NTGD4161PT1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NTGD4161PT1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NTGD4161PT1G.pdf
  • Voltaje - Prueba
    281pF @ 15V
  • Tensión - Desglose
    6-TSOP
  • VGS (th) (Max) @Id
    160 mOhm @ 2.1A, 10V
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.5A
  • Potencia - Max
    600mW
  • Polarización
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    NTGD4161PT1G
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    7.1nC @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    3V @ 250µA
  • Característica de FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Descripción ampliada
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.5A 600mW Surface Mount 6-TSOP
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    Logic Level Gate
  • Descripción
    MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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