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232694Imagen NTHD4502NT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTHD4502NT1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NTHD4502NT1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NTHD4502NT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    ChipFET™
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    85 mOhm @ 2.9A, 10V
  • Potencia - Max
    640mW
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    8-SMD, Flat Lead
  • Otros nombres
    NTHD4502NT1GOSCT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    35 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    140pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    7nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.2A 640mW Surface Mount ChipFET™
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    2.2A
  • Número de pieza base
    NTHD4502N

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