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Imagen NTHD5902T1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTHD5902T1

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Especificaciones

Número de pieza

NTHD5902T1
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

NTHD5902T1.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

ChipFET™
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

85 mOhm @ 2.9A, 10V
Potencia - Max

1.1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

NTHD5902T1OS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.5 nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A

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