NTHD4401PT3

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Especificaciones

Número de pieza

NTHD4401PT3
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

NTHD4401PT3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

ChipFET™
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

155 mOhm @ 2.1A, 4.5V
Potencia - Max

1.1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.1A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.1A
Número de pieza base

NTHD4401P

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NTHD3101FT1G

Descripción: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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