NTHD5904NT1

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Especificaciones

Número de pieza

NTHD5904NT1
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

NTHD5904NT1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ChipFET™
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

65 mOhm @ 3.3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

640mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

465pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 2.5A (Ta) 640mW (Ta) Surface Mount ChipFET™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

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NTHL065N65S3F

Descripción: SUPERFET3 650V TO247

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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