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Imagen NTLJF4156NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLJF4156NT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTLJF4156NT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTLJF4156NT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-WDFN (2x2)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

70 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

710mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-WDFN Exposed Pad
Otros nombres

NTLJF4156NT1G-ND
NTLJF4156NT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

7 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

427pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 2.5A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Tj)

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