NTLJS2103PTBG

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Especificaciones

Número de pieza

NTLJS2103PTBG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTLJS2103PTBG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

800mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-WDFN (2x2)
Serie

µCool™
RDS (Max) @Id, Vgs

40 mOhm @ 3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

700mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-WDFN Exposed Pad
Otros nombres

NTLJS2103PTBG-ND
NTLJS2103PTBGOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1157pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 3.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NTLJD4150PTBG

Descripción: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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