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Imagen NTLJF3117PTAG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLJF3117PTAG

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Especificaciones

Número de pieza

NTLJF3117PTAG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTLJF3117PTAG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-WDFN (2x2)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

100 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

710mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-WDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

531pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A (Ta)

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