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NTLJS1102PTAG

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Especificaciones

Número de pieza

NTLJS1102PTAG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTLJS1102PTAG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

720mV @ 250µA
Vgs (Max)

±6V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-WDFN (2x2)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

36 mOhm @ 6.2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

700mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-WDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1585pF @ 4V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

25nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

8V
Descripción detallada

P-Channel 8V 3.7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NTLJS3113PT1G

Descripción: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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