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NTMFS08N004C

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NTMFS08N004C
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    NTMFS08N004C.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-PQFN (5x6), Power56
  • Serie
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    4 mOhm @ 44A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    125W (Tc)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    39 Weeks
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    4250pF @ 40V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    80V
  • Descripción detallada
    N-Channel 80V 126A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    126A (Tc)

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