NTMFD5C650NLT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTMFD5C650NLT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

T6 60V LL S08FL DS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

NTMFD5C650NLT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 98µA
Paquete del dispositivo

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

4.2 mOhm @ 20A, 10V
Potencia - Max

3.5W (Ta), 125W (Tc)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

50 Weeks
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2546pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

37nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Ta), 111A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NTMFS4119NT1G

Descripción: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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