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NTMFD5C446NLT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTMFD5C446NLT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

T6 40V LL S08FL DS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

NTMFD5C446NLT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 90µA
Paquete del dispositivo

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2.65 mOhm @ 20A, 10V
Potencia - Max

3.5W (Ta), 125W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

NTMFD5C446NLT1G-ND
NTMFD5C446NLT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

50 Weeks
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3170pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

54nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 25A (Ta), 145A (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Ta), 145A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NTMFD4C87NT3G

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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