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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > NTMFD5C466NLT1G

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Imagen NTMFD5C466NLT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFD5C466NLT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTMFD5C466NLT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

T6 40V LL S08FL DS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

NTMFD5C466NLT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 30µA
Paquete del dispositivo

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

7.4 mOhm @ 10A, 10V
Potencia - Max

3W (Ta), 40W (Tc)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

50 Weeks
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

997pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

16nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 14A (Ta), 52A (Tc) 3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta), 52A (Tc)

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