SI2337DS-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI2337DS-T1-GE3
Fabricante / Marca

Adafruit
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI2337DS-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

270 mOhm @ 1.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

760mW (Ta), 2.5W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

SI2337DS-T1-GE3-ND
SI2337DS-T1-GE3TR
SI2337DST1GE3
Temperatura de funcionamiento

-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

P-Channel 80V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A (Tc)

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SI2333DS-T1-GE3

Descripción:

Fabricantes: Vishay Semiconductors

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