C3M0120100K

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Especificaciones

Número de pieza

C3M0120100K
Fabricante / Marca

Wolfspeed
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

C3M0120100K.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 3mA
Vgs (Max)

±15V
Tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete del dispositivo

TO-247-4L
Serie

C3M™
RDS (Max) @Id, Vgs

155 mOhm @ 15A, 15V
La disipación de energía (máximo)

83W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-4
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 600V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

21.5nC @ 15V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

15V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 22A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Tc)

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C3M0065100J-TR

Descripción: 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET

Fabricantes: Cree Wolfspeed

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