C3M0280090J-TR

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Especificaciones

Número de pieza

C3M0280090J-TR
Fabricante / Marca

Wolfspeed
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 900V 11A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

C3M0280090J-TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 1.2mA
Vgs (Max)

+18V, -8V
Tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete del dispositivo

D2PAK-7
Serie

C3M™
RDS (Max) @Id, Vgs

360 mOhm @ 7.5A, 15V
La disipación de energía (máximo)

50W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Otros nombres

C3M0280090J-TRTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 600V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.5nC @ 15V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

15V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

900V
Descripción detallada

N-Channel 900V 11A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

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C3M0120100J

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7

Fabricantes: Cree Wolfspeed

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