DMG4N60SCT

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Especificaciones

Número de pieza

DMG4N60SCT
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET NCH 600V 4.5A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMG4N60SCT.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2.5 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

113W (Ta)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

30 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

532pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 4.5A (Ta) 113W (Ta) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "DMG4N60SCT".

DMG4710SSS-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Fabricantes: Diodes Incorporated

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